Infineon OptiMOS™ 3 IPB027N10N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 120 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 825-9235
Herst. Teile-Nr.:: IPB027N10N3GATMA1
Marke:: Infineon

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Infineon OptiMOS™ 3 IPB027N10N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 120 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:: 825-9235
Herst. Teile-Nr.:: IPB027N10N3GATMA1
Marke:: Infineon

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	120 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	OptiMOS™ 3
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	4,5 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	300 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	9.45mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	155 nC @ 10 V
Länge	10.31mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	4.57mm

Infineon OptiMOS™ 3 IPB027N10N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 120 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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