DiodesZetex BSS123WQ N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 100 V / 170 mA 200 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
718-532
Herst. Teile-Nr.:
BSS123WQ-7-F
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

170mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

BSS123WQ

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

200mW

Betriebstemperatur min.

-50°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1mm

Länge

2.2mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der DiodesZetex N-Kanal-Enhancement-Modus-MOSFET wurde für effiziente Stromverwaltungsanwendungen entwickelt. Diese Komponente ist so konzipiert, dass sie einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand aufweist und gleichzeitig eine Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung gewährleistet. Er verfügt über eine robuste 100-V-Ablass-Quellen-Nennspannung und ist dank seiner AEC-Q101-Qualifikation und der Einhaltung von Industriestandards wie IATF 16949 für eine Reihe von Kfz-Anwendungen geeignet. Mit einer kleinen Abmessung im SOT323-Gehäuse und einem bleifreien, grünen Design ist dieser MOSFET eine ideale Wahl für platzsparende Umgebungen, die zuverlässige Funktionalität und Umweltkonformität erfordern.

Niedrige Gate-Schwellenspannung erhöht die Effizienz von Stromkreisentwürfen

Geringe Eingangskapazität für schnellere Schaltgeschwindigkeiten

Kompatibel mit hohen Ablassquellen-Nennspannungen für Langlebigkeit

Entwickelt mit minimaler Eingangs-/Ausgangsleckage unter typischen Betriebsbedingungen

AEC-Q101 qualifiziert für die Eignung in Kfz-Anwendungen

PPAP-fähig, geeignet für Branchen, die eine strikte Änderungskontrolle erfordern

Gefertigt aus bleifreien Materialien, die RoHS-Richtlinien vollständig erfüllen

Kompaktes SOT323-Gehäuse ermöglicht eine einfache Integration in Designs

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