- RS Best.-Nr.:
- 738-4926
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS123-7-F
- Marke:
- DiodesZetex
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 170 mA |
Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
Gehäusegröße | SOT-23 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 10 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2V |
Verlustleistung max. | 300 mW |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 1.4mm |
Länge | 3mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Transistor-Werkstoff | Si |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
Höhe | 1.1mm |
- RS Best.-Nr.:
- 738-4926
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS123-7-F
- Marke:
- DiodesZetex
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