DiodesZetex DMN63D8L N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 30 V / 400 mA 520 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 718-536
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN63D8L-7
- Marke:
- DiodesZetex
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
0,26 €
(ohne MwSt.)
0,31 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 09. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 120 | 0,052 € | 0,26 € |
| 125 - 495 | 0,048 € | 0,24 € |
| 500 - 2495 | 0,044 € | 0,22 € |
| 2500 + | 0,036 € | 0,18 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 718-536
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN63D8L-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 400mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | DMN63D8L | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.8Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -50°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 520mW | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 400mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie DMN63D8L | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.8Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -50°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 520mW | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der DiodesZetex N-Kanal-Enhancement-Modus-MOSFET wurde für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen entwickelt. Diese vielseitige Komponente priorisiert einen minimalen Widerstand im eingeschalteten Zustand und gewährleistet gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung. Ideal für Anwendungen wie Motorsteuerung, Leistungsmanagementfunktionen und Hintergrundbeleuchtung bietet dieser MOSFET eine zuverlässige und effiziente Lösung, um anspruchsvolle Leistungsanforderungen zu bewältigen. Mit einer robusten Bauweise, die den AEC-Q101-Standards entspricht, wird es auch als "grünes" Gerät eingestuft, was seine umweltfreundlichen Akkreditierungen unterstreicht. Das kompakte SOT23-Gehäuse erleichtert platzsparende Platzierungen in verschiedenen Elektronikgeräten.
Erhält einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand und gewährleistet eine hohe Effizienz bei der Stromverwaltung
Geringe Eingangskapazität für schnelle Schaltgeschwindigkeiten, verbesserte Gesamtleistung
Verträgt eine maximale Ablass-Quellenspannung von 30 V, was es für verschiedene Anwendungen vielseitig einsetzbar macht
Bietet kontinuierliche Ablassströme von bis zu 350 mA bei 25 °C und unterstützt so einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Szenarien
Entwickelt mit ESD-Schutz am Gate, um das Gerät zu schützen und die Langlebigkeit zu erhöhen
Konform mit RoHS und frei von Blei, Halogen und Antimon, um eine umweltfreundliche Fertigung zu unterstützen
Verwandte Links
- DiodesZetex DMN63D8L N-Kanal 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN53D0U Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ P-Kanal 3-Pin SOT-23
