DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 0.5 A 520 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 182-6898
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN31D5L-7
- Marke:
- DiodesZetex
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
159,00 €
(ohne MwSt.)
189,00 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 3000 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 29. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 0,053 € | 159,00 € |
| 9000 - 12000 | 0,051 € | 153,00 € |
| 15000 + | 0,049 € | 147,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 182-6898
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN31D5L-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 0.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | DMN | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 520mW | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.2nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie DMN | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 520mW | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.2nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
Vollständig bleifrei
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät
Anwendungen
Motorsteuerung
Stromüberwachungsfunktionen
Hinterleuchtung.
Verwandte Links
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN53D0U Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin SC-89
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 4-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
