DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 0.5 A 520 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 182-7039
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN31D5L-7
- Marke:
- DiodesZetex
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 100 Stück)*
9,80 €
(ohne MwSt.)
11,70 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 1.000 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | 0,098 € | 9,80 € |
| 200 - 400 | 0,086 € | 8,60 € |
| 500 - 900 | 0,069 € | 6,90 € |
| 1000 - 1900 | 0,063 € | 6,30 € |
| 2000 + | 0,058 € | 5,80 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 182-7039
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN31D5L-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 0.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | DMN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.2nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 520mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie DMN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.2nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 520mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
Vollständig bleifrei
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät
Anwendungen
Motorsteuerung
Stromüberwachungsfunktionen
Hinterleuchtung.
Verwandte Links
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin DMN3404L-7 SOT-23
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin DMN2075U-7 SOT-23
- DiodesZetex DMN53D0U Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin SC-89
- DiodesZetex DMN53D0U Typ N-Kanal 3-Pin DMN53D0U-7 SOT-23
