- RS Best.-Nr.:
- 827-0487
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN313DLT-7
- Marke:
- DiodesZetex
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 380 mA |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | SOT-523 (SC-89) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 3,2 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 1.5V |
Verlustleistung max. | 520 mW |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Breite | 0.85mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Transistor-Werkstoff | Si |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 0,5 nC @ 4,5 V |
Länge | 1.7mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
Höhe | 0.8mm |
- RS Best.-Nr.:
- 827-0487
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN313DLT-7
- Marke:
- DiodesZetex
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