DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 230 mA 300 mW, 3-Pin SC-89
- RS Best.-Nr.:
- 246-7514
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2710UTQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
4,775 €
(ohne MwSt.)
5,675 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 2.950 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,191 € | 4,78 € |
| 50 - 75 | 0,188 € | 4,70 € |
| 100 - 225 | 0,138 € | 3,45 € |
| 250 - 975 | 0,135 € | 3,38 € |
| 1000 + | 0,132 € | 3,30 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 246-7514
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2710UTQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 230mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | DMN | |
| Gehäusegröße | SC-89 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300mW | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.9nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Länge | 1.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 0.85 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 230mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie DMN | ||
Gehäusegröße SC-89 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300mW | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.9nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.8mm | ||
Länge 1.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 0.85 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex stellt einen N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET her, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem SOT523-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad.
Die maximale Drain-Quellenspannung beträgt 20 V. Die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±6 V. Sie bietet eine ultrakleine Gehäusegröße. Ihr thermisch effizientes Gehäuse ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte
Verwandte Links
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin SC-89
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin DMN26D0UT-7 SC-89
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin SC-89
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin DMN313DLT-7 SC-89
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin SC-70
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin SC-59
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin DMN2065UW-7 SC-70
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal 3-Pin DMN3070SSN-7 SC-59