DiodesZetex DMN N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 230 mA 300 mW, 3-Pin SC-89
- RS Best.-Nr.:
- 246-6801
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2710UTQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- DMN2710UTQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 230mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SC-89 | |
| Serie | DMN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.9nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 850μm | |
| Länge | 1.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 800μm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 230mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SC-89 | ||
Serie DMN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.9nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 850μm | ||
Länge 1.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 800μm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex stellt einen N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET her, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem SOT523-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad.
Die maximale Drain-Quellenspannung beträgt 20 V. Die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±6 V. Sie bietet eine ultrakleine Gehäusegröße. Ihr thermisch effizientes Gehäuse ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte
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