DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 230 mA 300 mW, 3-Pin SC-89

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RS Best.-Nr.:
246-6801
Herst. Teile-Nr.:
DMN2710UTQ-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

230mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SC-89

Serie

DMN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12.9nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

300mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

1.7mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

0.85 mm

Höhe

0.8mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex stellt einen N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET her, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem SOT523-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad.

Die maximale Drain-Quellenspannung beträgt 20 V. Die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±6 V. Sie bietet eine ultrakleine Gehäusegröße. Ihr thermisch effizientes Gehäuse ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte

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