- RS Best.-Nr.:
- 922-8367
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG1012T-7
- Marke:
- DiodesZetex
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
3000 - 6000 | 0,075 € | 225,00 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 922-8367
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG1012T-7
- Marke:
- DiodesZetex
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 630 mA |
Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
Gehäusegröße | SOT-523 (SC-89) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 700 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 1V |
Verlustleistung max. | 280 mW |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -6 V, +6 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Transistor-Werkstoff | Si |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 0,737 nC @ 4,5 V |
Breite | 0.85mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Länge | 1.7mm |
Höhe | 0.8mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 922-8367
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG1012T-7
- Marke:
- DiodesZetex
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