DiodesZetex DMG1012T-7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 630 mA 280 mW, 3-Pin DMG1012T-7 SC-89

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 100 Stück)*

4,40 €

(ohne MwSt.)

5,20 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 200 Einheit(en) versandfertig
  • Zusätzlich 200 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 456.700 Einheit(en) mit Versand ab 14. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
100 +0,044 €4,40 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
751-4064
Herst. Teile-Nr.:
DMG1012T-7
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

630mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

DMG1012T-7

Gehäusegröße

SC-89

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

700mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

6 V

Maximale Verlustleistung Pd

280mW

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.74nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

0.85 mm

Höhe

0.8mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

1.7mm

Automobilstandard

AEC-Q104, AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


Verwandte Links