STMicroelectronics STH N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 397 A 341 W, 6-Pin H2PAK
- RS Best.-Nr.:
- 719-654
- Herst. Teile-Nr.:
- STH345N6F7-6
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 397A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | STH | |
| Gehäusegröße | H2PAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 230nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 341W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 10.4mm | |
| Länge | 9.3mm | |
| Höhe | 4.7mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 397A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie STH | ||
Gehäusegröße H2PAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 230nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 341W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 10.4mm | ||
Länge 9.3mm | ||
Höhe 4.7mm | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics nutzt die STripFET F7-Technologie mit einer verbesserten Trunking-Gate-Struktur, die zu einem sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand führt und gleichzeitig die interne Kapazität und die Gate-Ladung reduziert, um eine schnellere und effizientere Schaltung zu ermöglichen.
Zu den niedrigsten RDS(on) am Markt
Ausgezeichnete FoM (Verdienstzahl)
Geringes Crss/Ciss-Verhältnis für EMI-Immunität
Hohe Lawinenbeständigkeit
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