Vishay SQJQ143EL P-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 40 V / -192 A 283 W, 8-Pin PowerPAK (8x8L)
- RS Best.-Nr.:
- 735-117
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ143EL-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*
3,59 €
(ohne MwSt.)
4,27 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 20. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,59 € |
| 10 - 49 | 2,23 € |
| 50 - 99 | 1,72 € |
| 100 + | 1,40 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 735-117
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ143EL-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | P-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -192A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK (8x8L) | |
| Serie | SQJQ143EL | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0059Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 283W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 241nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 7.9mm | |
| Breite | 8mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp P-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -192A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PowerPAK (8x8L) | ||
Serie SQJQ143EL | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0059Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 283W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 241nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 7.9mm | ||
Breite 8mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET von Vishay wurde für Automobilanwendungen entwickelt und kann unter rauen Bedingungen betrieben werden. Seine robuste Konstruktion gewährleistet Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Szenarien und optimiert die Leistung mit seinem fortschrittlichen Design.
Niedriger Einschaltwiderstand sorgt für geringere Verlustleistung
Optimierte thermische Leistung verlängert die Lebensdauer
Verwandte Links
- Vishay TrenchFET P-Kanal 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay TrenchFET P-Kanal 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay TrenchFET Gen IV Typ P-Kanal 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay P-Channel 12 V Typ P-Kanal 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay P-Channel 30 V Typ P-Kanal 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay P-Channel 40 V Typ P-Kanal 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay SQJQ936E Zweifach N-Kanal 4 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay Typ N-Kanal 4-Pin PowerPAK (8x8L)
