Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung -80 V / -175 A 348 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- RS Best.-Nr.:
- 735-252
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ181EL-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | P-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -175A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -80V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | PowerPAK (8x8L) | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.012Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 153nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 348W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 7.9 mm | |
| Länge | 8mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp P-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -175A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -80V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße PowerPAK (8x8L) | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.012Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 153nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 348W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 7.9 mm | ||
Länge 8mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
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