Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 225 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8L

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
228-2893
Herst. Teile-Nr.:
SIJH112E-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

225 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

PowerPAK 8 x 8L

Serie

TrenchFET

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand max.

0,0028 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Der Vishay TrenchFET N-Kanal ist ein 100-V-MOSFET.

100 % Rg- und UIS-geprüft

Verwandte Links