Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 24.7 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- RS Best.-Nr.:
- 228-2927
- Herst. Teile-Nr.:
- SiS890ADN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
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- SiS890ADN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 100 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 24.7 A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 0.0255 Ω | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Serie TrenchFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 100 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 24.7 A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8 | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 0.0255 Ω | ||
The Vishay N-Channel 100-V (D-S) MOSFET.
100 % Rg and UIS tested
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