Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 185.6 A 65.7 W, 8-Pin SiSS54DN-T1-GE3 PowerPAK 1212

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228-2933
Herst. Teile-Nr.:
SiSS54DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

185.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.06mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Maximale Verlustleistung Pd

65.7W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

47.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay N-Kanal 30-V (D-S) MOSFET.

100 % Rg- und UIS-geprüft

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