Vishay TrenchFET® Gen IV SISS50DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 108 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

RS Best.-Nr.:: 200-6847
Herst. Teile-Nr.:: SISS50DN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET® Gen IV SISS50DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 108 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

Voraussichtlich ab 19.11.2024 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 50)

0,643 €

(ohne MwSt.)

0,765 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
50 - 50	0,643 €	32,15 €
100 - 200	0,579 €	28,95 €
250 - 450	0,418 €	20,90 €
500 - 1200	0,386 €	19,30 €
1250 +	0,354 €	17,70 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 200-6847
Herst. Teile-Nr.:: SISS50DN-T1-GE3
Marke:: Vishay

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Document- SISS50DN-T1-GE3

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Der Vishay SISS50DN-T1-GE3 ist ein N-Kanal-45-V-(D-S)-MOSFET.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Sehr niedriger RDS(on) in einem kompakten und thermisch verbesserten Gehäuse
Optimiertes Qg-, Qgd- und Qgd/Qgs-Verhältnis verringert Leistungsverlust beim Schalten
100 % Rg- und UIS-getestet

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	108 A
Drain-Source-Spannung max.	45 V
Gehäusegröße	PowerPAK 1212-8S
Serie	TrenchFET® Gen IV
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,0041 Ω, 0,00283 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.3V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Vishay TrenchFET® Gen IV SISS50DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 108 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

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