Vishay TrenchFET Gen III Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 35 A 52 W, 8-Pin SIS415DNT-T1-GE3 PowerPAK

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 20 Stück)*

12,68 €

(ohne MwSt.)

15,08 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 2.880 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Gurtabschnitt*
20 +0,634 €12,68 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
814-1304
Herst. Teile-Nr.:
SIS415DNT-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

35A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

TrenchFET Gen III

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0095Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

55.5nC

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Verlustleistung Pd

52W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.8mm

Länge

3.4mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

3.4 mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links