Vishay SIS415DNT-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 22 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

RS Best.-Nr.:: 814-1304
Herst. Teile-Nr.:: SIS415DNT-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SIS415DNT-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 22 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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RS Best.-Nr.:: 814-1304
Herst. Teile-Nr.:: SIS415DNT-T1-GE3
Marke:: Vishay

SiS415DNT, P-Channel 20V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	22 A
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Gehäusegröße	PowerPAK 1212-8
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	9,5 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	0.4V
Verlustleistung max.	52 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-12 V, +12 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	3.4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	117 nC bei 10 V
Länge	3.4mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	0.8mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Vishay SIS415DNT-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 22 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor

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