Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 3.8 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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RS Best.-Nr.:
180-7307
Herst. Teile-Nr.:
SI7119DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.1Ω

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10.6nC

Betriebstemperatur min.

50°C

Maximale Verlustleistung Pd

52W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21

Breite

3.3 mm

Höhe

1.07mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der SMD-P-Kanal PowerPAK-1212-8 MOSFET von Vishay ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 200 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 1050 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 52 W und einen Dauerstrom von 3,8 A. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Es verfügt über Anwendungen in der aktiven Klemme in DC/DC-Zwischennetzteilen. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Halogenfrei

• Leistungsgehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand und kleiner Größe und niedrigem 1,07-mm-Profil

• Maximale Verlustleistung: 52 W

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -50 °C und 150 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Zertifizierungen


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg-geprüft

• UIS-geprüft

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