Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 3.8 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SI7119DN-T1-GE3
- RS Best.-Nr.:
- 180-7820
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7119DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.1Ω | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 52W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | 50°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.07mm | |
| Breite | 3.3 mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.1Ω | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 52W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. 50°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.07mm | ||
Breite 3.3 mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
Der SMD-P-Kanal PowerPAK-1212-8 MOSFET von Vishay ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 200 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 1050 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 52 W und einen Dauerstrom von 3,8 A. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Es verfügt über Anwendungen in der aktiven Klemme in DC/DC-Zwischennetzteilen. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Halogenfrei
• Leistungsgehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand und kleiner Größe und niedrigem 1,07-mm-Profil
• Maximale Verlustleistung: 52 W
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -50 °C und 150 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg-geprüft
• UIS-geprüft
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