Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, SMD MOSFET 100 V Erweiterung / 24.7 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- RS Best.-Nr.:
- 228-2926
- Herst. Teile-Nr.:
- SiS890ADN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
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- SiS890ADN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 24.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0255Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0255Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Der N-Kanal 100-V (D-S) MOSFET von Vishay.
100 % Rg- und UIS-geprüft
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