Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 185.6 A 65.7 W, 8-Pin PowerPAK 1212

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

1.998,00 €

(ohne MwSt.)

2.379,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Wird eingestellt
  • Letzte 3.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +0,666 €1.998,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
228-2932
Herst. Teile-Nr.:
SiSS54DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

185.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.06mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Maximale Verlustleistung Pd

65.7W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

47.5nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay N-Kanal 30-V (D-S) MOSFET.

100 % Rg- und UIS-geprüft

Verwandte Links