Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 100 V / 59 A 65.7 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

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RS Best.-Nr.:
735-241
Herst. Teile-Nr.:
SISS516DN-T1-UE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

59A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8S

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.011Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18.3nC

Maximale Verlustleistung Pd

65.7W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.3mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
DE
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für effiziente Leistungsschaltung in einer Vielzahl von elektronischen Anwendungen entwickelt. Er bietet zuverlässige Leistung mit gründlichem Gate-Widerstand und ungeklemmter induktiver Schaltprüfung und gewährleistet einen robusten Betrieb unter anspruchsvollen Bedingungen. Das Gerät unterstützt umweltfreundliche Designs mit RoHS-konformer und halogenfreier Konstruktion und eignet sich daher für moderne Strommanagement-Systeme.

Unterstützt den Betrieb mit hoher Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Umgebungen

Geeignet für synchrone Gleichrichteranwendungen

Ideal für den Einsatz als primärer Seitenschalter in Stromwandlern

Erfüllt die RoHS-konformen und halogenfreien Anforderungen

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