Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 30 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

RS Best.-Nr.:: 787-9409
Herst. Teile-Nr.:: SISA10DN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 30 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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RS Best.-Nr.:: 787-9409
Herst. Teile-Nr.:: SISA10DN-T1-GE3
Marke:: Vishay

SiSA10DN, N-Channel 30V (Drain-Source) MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	30 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Serie	TrenchFET
Gehäusegröße	PowerPAK 1212-8
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	5 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1.1V
Verlustleistung max.	39 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–16 V, +20 V
Breite	3.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	3.4mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	34 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	1.12mm

Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 30 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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N-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

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