Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 30 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH

RS Best.-Nr.:: 188-5146
Herst. Teile-Nr.:: SISHA10DN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 30 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH

Preis pro Stück (In einer VPE à 25)

0,264 €

(ohne MwSt.)

0,314 €

(inkl. MwSt.)

376 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).*

* Die Liefertermine können sich je nach gewählter Menge und Lieferadresse ändern.

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Stück	Pro Stück	Pro Packung**
25 +	0,264 €	6,60 €

**Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 188-5146
Herst. Teile-Nr.:: SISHA10DN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Datasheet SISHA10DN-T1-GE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	30 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	PowerPAK 1212-8SH
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	5 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.2V
Gate-Schwellenspannung min.	1.1V
Verlustleistung max.	39 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–16 V, +20 V
Breite	3.3mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	34 nC @ 10 V
Länge	3.3mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	0.93mm

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 30 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Verwandte Produkte