Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 70 V / 45.3 A 39 W, 8-Pin SiS178LDN-T1-GE3 PowerPAK 1212

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

7,39 €

(ohne MwSt.)

8,79 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Wird eingestellt
  • Letzte 5.580 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 900,739 €7,39 €
100 - 2400,665 €6,65 €
250 - 4900,546 €5,46 €
500 - 9900,48 €4,80 €
1000 +0,371 €3,71 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
228-2923
Herst. Teile-Nr.:
SiS178LDN-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

70V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18.7nC

Maximale Verlustleistung Pd

39W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay TrenchFET N-Kanal ist ein 70-V-MOSFET.

100 % Rg- und UIS-geprüft

Verwandte Links