Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 27 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212

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RS Best.-Nr.:
814-1314
Herst. Teile-Nr.:
SISS23DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

27A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

195nC

Durchlassspannung Vf

-0.8V

Maximale Verlustleistung Pd

57W

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.3 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.3mm

Höhe

0.78mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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