Vishay TrenchFET® Gen III SiSS63DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 127,5 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

RS Best.-Nr.:: 200-6849
Herst. Teile-Nr.:: SiSS63DN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET® Gen III SiSS63DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 127,5 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

Voraussichtlich ab 19.11.2024 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 50)

0,734 €

(ohne MwSt.)

0,873 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
50 - 50	0,734 €	36,70 €
100 - 200	0,587 €	29,35 €
250 - 450	0,514 €	25,70 €
500 - 1200	0,426 €	21,30 €
1250 +	0,396 €	19,80 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 200-6849
Herst. Teile-Nr.:: SiSS63DN-T1-GE3
Marke:: Vishay

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Document- SiSS63DN-T1-GE3

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Der Vishay SISs63DN-T1-GE3 ist ein P-Kanal-MOSFET mit 20 V (D-S).

TrenchFET® Gen III P-Kanal-Leistungs-MOSFET
Führungs-RDS(on) in einem kompakten und thermisch verbesserten Gehäuse
100 % Rg- und UIS-getestet

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	127,5 A
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Gehäusegröße	PowerPAK 1212-8S
Serie	TrenchFET® Gen III
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,007 Ω, 0,0027 Ω, 0,0036 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1.5V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Vishay TrenchFET® Gen III SiSS63DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 127,5 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

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