Vishay TrenchFET Gen III Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 127.5 A 65.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)*

41,90 €

(ohne MwSt.)

49,85 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 09. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
50 - 500,838 €41,90 €
100 - 2000,67 €33,50 €
250 - 4500,587 €29,35 €
500 - 12000,486 €24,30 €
1250 +0,453 €22,65 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
200-6849
Herst. Teile-Nr.:
SiSS63DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

127.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET Gen III

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

236nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±12 V

Maximale Verlustleistung Pd

65.8W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.3 mm

Länge

3.3mm

Höhe

3.3mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay SISs63DN-T1-GE3 ist ein P-Kanal-MOSFET mit 20 V (D-S).

TrenchFET® Gen III P-Kanal-Leistungs-MOSFET

Führungs-RDS(on) in einem kompakten und thermisch verbesserten Gehäuse

100 % Rg- und UIS-getestet

Verwandte Links