Vishay TrenchFET Gen III Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 127.5 A 65.8 W, 8-Pin SiSS63DN-T1-GE3

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RS Best.-Nr.:
200-6848
Herst. Teile-Nr.:
SiSS63DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

127.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET Gen III

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

236nC

Maximale Verlustleistung Pd

65.8W

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

±12 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.3 mm

Höhe

3.3mm

Länge

3.3mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay SISs63DN-T1-GE3 ist ein P-Kanal-MOSFET mit 20 V (D-S).

TrenchFET® Gen III P-Kanal-Leistungs-MOSFET

Führungs-RDS(on) in einem kompakten und thermisch verbesserten Gehäuse

100 % Rg- und UIS-getestet

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