Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 70 V / 42.3 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

1.134,00 €

(ohne MwSt.)

1.350,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 9.000 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +0,378 €1.134,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
228-2920
Herst. Teile-Nr.:
SiS176LDN-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

42.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

70V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12.6nC

Maximale Verlustleistung Pd

39W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay TrenchFET N-Kanal ist ein 70-V-MOSFET.

100 % Rg- und UIS-geprüft

Verwandte Links