Vishay TrenchFET SiSH892BDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 20 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH

RS Best.-Nr.:: 228-2931
Herst. Teile-Nr.:: SiSH892BDN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET SiSH892BDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 20 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH

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10 - 90	0,684 €	6,84 €
100 - 240	0,65 €	6,50 €
250 - 490	0,513 €	5,13 €
500 - 990	0,479 €	4,79 €
1000 +	0,362 €	3,62 €

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RS Best.-Nr.:: 228-2931
Herst. Teile-Nr.:: SiSH892BDN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Datasheet - SiSH892BDN-T1-GE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	20 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	TrenchFET
Gehäusegröße	PowerPAK 1212-8SH
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,0304 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.4V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si

Vishay TrenchFET SiSH892BDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 20 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH

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