Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 20 A 29 W, 8-Pin PowerPAK 1212

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

990,00 €

(ohne MwSt.)

1.170,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 3.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +0,33 €990,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
228-2930
Herst. Teile-Nr.:
SiSH892BDN-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

30.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

29W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay N-Kanal 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK.

100 % Rg- und UIS-geprüft

Verwandte Links