Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 70 V / 42.3 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212

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RS Best.-Nr.:
228-2921
Herst. Teile-Nr.:
SiS176LDN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

42.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

70V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12.6nC

Maximale Verlustleistung Pd

39W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay TrenchFET N-Kanal ist ein 70-V-MOSFET.

100 % Rg- und UIS-geprüft

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