Vishay SI7121DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 9,6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

RS Best.-Nr.:: 818-1380
Herst. Teile-Nr.:: SI7121DN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SI7121DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 9,6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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Herst. Teile-Nr.:: SI7121DN-T1-GE3
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Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	9,6 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	PowerPAK 1212-8
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	26 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	27,8 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	33 nC @ 10 V
Breite	3.15mm
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	3.15mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	-50 °C
Höhe	1.07mm