Vishay SiS128LDN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 33.7 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212

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RS Best.-Nr.:
188-5153
Herst. Teile-Nr.:
SiS128LDN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

33.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

SiS128LDN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

39W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.15mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.07mm

Breite

3.15 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM

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