Vishay SiS128LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 33,7 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

RS Best.-Nr.:: 188-5153
Herst. Teile-Nr.:: SiS128LDN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SiS128LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 33,7 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

Voraussichtlich ab 19.11.2024 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 10)

0,724 €

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0,862 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
10 - 90	0,724 €	7,24 €
100 - 240	0,688 €	6,88 €
250 - 490	0,615 €	6,15 €
500 - 990	0,442 €	4,42 €
1000 +	0,348 €	3,48 €

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RS Best.-Nr.:: 188-5153
Herst. Teile-Nr.:: SiS128LDN-T1-GE3
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Datasheet SiS128LDN-T1-GE3

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	33,7 A
Drain-Source-Spannung max.	80 V
Gehäusegröße	PowerPAK 1212-8
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	20,3 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	39 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	20 nC @ 10 V
Länge	3.15mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	3.15mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Diodendurchschlagsspannung	1.1V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.07mm

Vishay SiS128LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 33,7 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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