Vishay SiS862ADN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 52 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212

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RS Best.-Nr.:
188-4889
Herst. Teile-Nr.:
SIS862ADN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

52A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

SiS862ADN

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

39W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19.8nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.07mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.15 mm

Länge

3.15mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET, 60 V (D-S)

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM

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