Vishay SiS862ADN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 52 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*

20,75 €

(ohne MwSt.)

24,75 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 8.900 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 - 1000,83 €20,75 €
125 - 2250,747 €18,68 €
250 - 6000,705 €17,63 €
625 - 12250,539 €13,48 €
1250 +0,465 €11,63 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
188-4951
Distrelec-Artikelnummer:
304-38-850
Herst. Teile-Nr.:
SIS862ADN-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

52A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

SiS862ADN

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19.8nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

39W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.15 mm

Höhe

1.07mm

Länge

3.15mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET, 60 V (D-S)

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM

Verwandte Links