Vishay TrenchFET Gen III Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 35 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
165-6920
Herst. Teile-Nr.:
SIS415DNT-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

35A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8

Serie

TrenchFET Gen III

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0095Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

52W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

55.5nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.8mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

3.4mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links