Vishay TrenchFET Gen III Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 35 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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RS Best.-Nr.:
165-6920
Herst. Teile-Nr.:
SIS415DNT-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

35A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8

Serie

TrenchFET Gen III

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0095Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

55.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

52W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.4 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

3.4mm

Höhe

0.8mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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