Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 45 V / 11 A 65.7 W, 4-Pin SIJ150DP-T1-GE3 SO-8

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RS Best.-Nr.:
200-6841
Herst. Teile-Nr.:
SIJ150DP-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11A

Drain-Source-Spannung Vds max.

45V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET Gen IV

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

70nC

Maximale Verlustleistung Pd

65.7W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

0.98 mm

Länge

3.4mm

Höhe

3.4mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay SIJ150DP-T1-GE3 ist ein N-Kanal-45-V-(D-S)-MOSFET.

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV

Sehr niedrige Qg und Qoss reduzieren den Leistungsverlust und verbessern die Effizienz

Flexible Leitungen sorgen für Widerstandsfähigkeit gegen mechanische Beanspruchung

100 % Rg- und UIS-geprüft

QGD/QGS-Verhältnis< 1 optimiert die Schalteigenschaften

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