Vishay Doppelt TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 38 A 33 W, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 FDC

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RS Best.-Nr.:
200-6873
Herst. Teile-Nr.:
SiZ250DT-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

38A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PowerPAIR 3 x 3 FDC

Serie

TrenchFET Gen IV

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.01887Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

33W

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.3mm

Höhe

0.75mm

Breite

3.3 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Die Vishay SIZ250DT-T1-GE3 ist ein zweifach-N-Kanal-60-V-(D-S)-MOSFETs.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

100 % Rg- und UIS-getestet

Optimiertes QGS/QGS-Verhältnis verbessert das Schalten

Merkmale

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