Vishay TrenchFET® Gen IV SiZ250DT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 38 A, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 FDC

RS Best.-Nr.:: 200-6874
Herst. Teile-Nr.:: SiZ250DT-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET® Gen IV SiZ250DT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 38 A, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 FDC

Voraussichtlich ab 20.11.2024 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 25)

0,844 €

(ohne MwSt.)

1,004 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
25 - 100	0,844 €	21,10 €
125 - 225	0,693 €	17,325 €
250 - 600	0,633 €	15,825 €
625 - 1225	0,549 €	13,725 €
1250 +	0,507 €	12,675 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 200-6874
Herst. Teile-Nr.:: SiZ250DT-T1-GE3
Marke:: Vishay

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Document- SiZ250DT-T1-GE3

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Die Vishay SIZ250DT-T1-GE3 ist ein zweifach-N-Kanal-60-V-(D-S)-MOSFETs.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
100 % Rg- und UIS-getestet
Optimiertes QGS/QGS-Verhältnis verbessert das Schalten
Merkmale

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	38 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	PowerPAIR 3 x 3 FDC
Serie	TrenchFET® Gen IV
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,0122 Ω, 0,0127 Ω, 0,01811 Ω, 0,01887 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.4V
Anzahl der Elemente pro Chip	2

Vishay TrenchFET® Gen IV SiZ250DT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 38 A, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 FDC

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