Vishay Doppelt TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 48 A 33 W, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S.
- RS Best.-Nr.:
- 200-6853
- Herst. Teile-Nr.:
- SiZ240DT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- 200-6853
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- SiZ240DT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 48A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Gehäusegröße | PowerPAIR 3 x 3 S. | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.00805Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15.2nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 33W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.4mm | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Breite | 3.4 mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 48A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Gehäusegröße PowerPAIR 3 x 3 S. | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.00805Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15.2nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 33W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.4mm | ||
Höhe 0.8mm | ||
Breite 3.4 mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Vishay SIZ240DT-T1-GE3 ist ein zweifach-N-Kanal-40-V-(D-S)-MOSFETs.
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Integrierte MOSFET-Halbbrücken-Leistungsstufe
100 % Rg- und UIS-getestet
Optimiertes QGS/QGS-Verhältnis verbessert die Schalteigenschaften
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