Vishay TrenchFET® Gen IV SiZ240DT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 47 A, 48 A., 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S.

RS Best.-Nr.:: 200-6853
Herst. Teile-Nr.:: SiZ240DT-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET® Gen IV SiZ240DT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 47 A, 48 A., 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S.

Voraussichtlich ab 09.12.2024 verfügbar.

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Preis pro Stück (In einer VPE à 25)

0,956 €

(ohne MwSt.)

1,138 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
25 - 25	0,956 €	23,90 €
50 - 100	0,803 €	20,075 €
125 - 225	0,765 €	19,125 €
250 - 600	0,717 €	17,925 €
625 +	0,669 €	16,725 €

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RS Best.-Nr.:: 200-6853
Herst. Teile-Nr.:: SiZ240DT-T1-GE3
Marke:: Vishay

Document- SiZ240DT-T1-GE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	47 A, 48 A.
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Gehäusegröße	PowerPAIR 3 x 3 S.
Serie	TrenchFET® Gen IV
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,0133 Ω, 0,00805 Ω, 0,00841 Ω, 0,01225 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.4V
Anzahl der Elemente pro Chip	2

Vishay TrenchFET® Gen IV SiZ240DT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 47 A, 48 A., 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S.

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