Vishay TrenchFET® Gen IV N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 47 A, 48 A., 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S.

RS Best.-Nr.:: 200-6852
Herst. Teile-Nr.:: SiZ240DT-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET® Gen IV N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 47 A, 48 A., 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S.

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RS Best.-Nr.:: 200-6852
Herst. Teile-Nr.:: SiZ240DT-T1-GE3
Marke:: Vishay

Document- SiZ240DT-T1-GE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	47 A, 48 A.
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Gehäusegröße	PowerPAIR 3 x 3 S.
Serie	TrenchFET® Gen IV
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,0133 Ω, 0,00805 Ω, 0,00841 Ω, 0,01225 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.4V
Anzahl der Elemente pro Chip	2

Vishay TrenchFET® Gen IV N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 47 A, 48 A., 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S.

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