- RS Best.-Nr.:
- 228-2935
- Herst. Teile-Nr.:
- SiZ254DT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 228-2935
- Herst. Teile-Nr.:
- SiZ254DT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Vishay Dual N-Kanal 70 V (D-S) MOSFET.
100 % Rg- und UIS-geprüft
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 32,5 A |
Drain-Source-Spannung max. | 70 V |
Serie | TrenchFET |
Gehäusegröße | PowerPAIR 3 x 3 S. |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 0,0161 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.4V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
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