Vishay TrenchFET SiZ340BDT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 69,3 A, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S.
- RS Best.-Nr.:
- 228-2939
- Herst. Teile-Nr.:
- SiZ340BDT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Vishay Dual N-Kanal 30-V (D-S) MOSFET.
100 % Rg- und UIS-geprüft
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 69,3 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | PowerPAIR 3 x 3 S. |
| Serie | TrenchFET |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,00856 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.4V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
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