Vishay TrenchFET SiZF906BDT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 257 A, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5 F.
- RS Best.-Nr.:
- 228-2940
- Herst. Teile-Nr.:
- SiZF906BDT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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| 3000 + | 0,788 € | 2.364,00 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 228-2940
- Herst. Teile-Nr.:
- SiZF906BDT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Vishay Dual N-Kanal 30 V (D-S) MOSFET.
100 % Rg- und UIS-geprüft
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 257 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | PowerPAIR 6 x 5 F. |
| Serie | TrenchFET |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0021 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.2V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
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