Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 257 A 83 W, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5F

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RS Best.-Nr.:
228-2940
Herst. Teile-Nr.:
SiZF906BDT-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

257A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAIR 6 x 5F

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0021Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der Vishay Dual N-Kanal 30 V (D-S) MOSFET.

100 % Rg- und UIS-geprüft

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