Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 45 V / 11 A 65.7 W, 4-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 200-6843
- Herst. Teile-Nr.:
- SIJ150DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
34,425 €
(ohne MwSt.)
40,975 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 11. August 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 1,377 € | 34,43 € |
| 125 - 225 | 1,308 € | 32,70 € |
| 250 - 600 | 1,171 € | 29,28 € |
| 625 - 1225 | 1,102 € | 27,55 € |
| 1250 + | 0,95 € | 23,75 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 200-6843
- Herst. Teile-Nr.:
- SIJ150DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 45V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 65.7W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 70nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 3.4mm | |
| Länge | 3.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 45V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 65.7W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 70nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 3.4mm | ||
Länge 3.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay SIJ150DP-T1-GE3 ist ein N-Kanal-45-V-(D-S)-MOSFET.
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
Sehr niedrige Qg und Qoss reduzieren den Leistungsverlust und verbessern die Effizienz
Flexible Leitungen sorgen für Widerstandsfähigkeit gegen mechanische Beanspruchung
100 % Rg- und UIS-geprüft
QGD/QGS-Verhältnis< 1 optimiert die Schalteigenschaften
Verwandte Links
- Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal 4-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Gen IV Typ P-Kanal 8-Pin SO-8
- Vishay Gemeinsamer Drain TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal 2
- Vishay Gemeinsamer Drain TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal 2
- Vishay Doppelt TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal 2 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 FDC