Vishay TrenchFET® Gen IV SIJ150DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 11 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L

RS Best.-Nr.:: 200-6843
Herst. Teile-Nr.:: SIJ150DP-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET® Gen IV SIJ150DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 11 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L

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Preis pro Stück (In einer VPE à 25)

0,937 €

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1,115 €

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Stück	Pro Stück	Pro Packung*
25 - 100	0,937 €	23,425 €
125 - 225	0,89 €	22,25 €
250 - 600	0,797 €	19,925 €
625 - 1225	0,75 €	18,75 €
1250 +	0,647 €	16,175 €

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RS Best.-Nr.:: 200-6843
Herst. Teile-Nr.:: SIJ150DP-T1-GE3
Marke:: Vishay

Document- SIJ150DP-T1-GE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	11 A
Drain-Source-Spannung max.	45 V
Serie	TrenchFET® Gen IV
Gehäusegröße	PowerPAK SO-8L
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	0,0041 Ω, 0,00283 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.3V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Vishay TrenchFET® Gen IV SIJ150DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 11 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L

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