Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 45 V / 11 A 65.7 W, 4-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*

24,975 €

(ohne MwSt.)

29,725 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 29. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 - 1000,999 €24,98 €
125 - 2250,949 €23,73 €
250 - 6000,849 €21,23 €
625 - 12250,80 €20,00 €
1250 +0,689 €17,23 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
200-6843
Herst. Teile-Nr.:
SIJ150DP-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11A

Drain-Source-Spannung Vds max.

45V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET Gen IV

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

70nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

65.7W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

3.4mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

0.98 mm

Länge

3.4mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay SIJ150DP-T1-GE3 ist ein N-Kanal-45-V-(D-S)-MOSFET.

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV

Sehr niedrige Qg und Qoss reduzieren den Leistungsverlust und verbessern die Effizienz

Flexible Leitungen sorgen für Widerstandsfähigkeit gegen mechanische Beanspruchung

100 % Rg- und UIS-geprüft

QGD/QGS-Verhältnis< 1 optimiert die Schalteigenschaften

Verwandte Links