Vishay TrenchFET® Gen IV SIR150DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 110 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

RS Best.-Nr.:: 200-6845
Herst. Teile-Nr.:: SIR150DP-T1-RE3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET® Gen IV SIR150DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 110 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

Voraussichtlich ab 05.12.2024 verfügbar.

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Preis pro Stück (In einer VPE à 50)

0,643 €

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0,765 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
50 - 50	0,643 €	32,15 €
100 - 200	0,508 €	25,40 €
250 - 450	0,45 €	22,50 €
500 - 1200	0,418 €	20,90 €
1250 +	0,347 €	17,35 €

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RS Best.-Nr.:: 200-6845
Herst. Teile-Nr.:: SIR150DP-T1-RE3
Marke:: Vishay

Document- SIR150DP-T1-RE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	110 A
Drain-Source-Spannung max.	45 V
Serie	TrenchFET® Gen IV
Gehäusegröße	PowerPAK SO-8
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,00271 Ω, 0,00397 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.3V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Vishay TrenchFET® Gen IV SIR150DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 110 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

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