Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 81 A 100 W, 8-Pin SO-8

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*

42,375 €

(ohne MwSt.)

50,425 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 12. Mai 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 - 251,695 €42,38 €
50 - 1001,441 €36,03 €
125 - 2251,306 €32,65 €
250 - 6001,051 €26,28 €
625 +0,984 €24,60 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
200-6862
Herst. Teile-Nr.:
SiR104ADP-T1-RE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

81A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET Gen IV

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

70nC

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

6.15mm

Länge

5.15mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay SiR104ADP-T1-RE3 ist ein N-Kanal-100-V-(D-S)-MOSFET.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM

100 % Rg- und UIS-getestet

Verwandte Links