Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 81 A 100 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
200-6862
Herst. Teile-Nr.:
SiR104ADP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

81A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET Gen IV

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

70nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.15mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.15 mm

Höhe

6.15mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay SiR104ADP-T1-RE3 ist ein N-Kanal-100-V-(D-S)-MOSFET.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM

100 % Rg- und UIS-getestet

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