Vishay TrenchFET® Gen IV SiR104ADP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 81 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

RS Best.-Nr.:: 200-6862
Herst. Teile-Nr.:: SiR104ADP-T1-RE3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET® Gen IV SiR104ADP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 81 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

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Stück	Pro Stück	Pro Packung*
25 - 25	1,531 €	38,275 €
50 - 100	1,302 €	32,55 €
125 - 225	1,179 €	29,475 €
250 - 600	0,949 €	23,725 €
625 +	0,888 €	22,20 €

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RS Best.-Nr.:: 200-6862
Herst. Teile-Nr.:: SiR104ADP-T1-RE3
Marke:: Vishay

Document- SiR104ADP-T1-RE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	81 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	TrenchFET® Gen IV
Gehäusegröße	PowerPAK SO-8
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,0061 Ω, 0,0072 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Vishay TrenchFET® Gen IV SiR104ADP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 81 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

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